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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAT54SWT1G
BAT54SWT1G PDF预览

BAT54SWT1G

更新时间： 2024-11-28 04:50:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Dual Series Schottky Barrier Diodes

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BAT54SWT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.57
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.24 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAT54SWT1G 数据手册

 浏览型号BAT54SWT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAT54SWT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAT54SWT1G的Datasheet PDF文件第4页 
BAT54SWT1  
Preferred Device  
Dual Series Schottky  
Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand held and portable applications where  
space is limited.  
http://onsemi.com  
30 VOLT  
Features  
DUAL SERIES SCHOTTKY  
BARRIER DIODES  
• Extremely Fast Switching Speed  
• Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc  
F
• Pb−Free Package is Available  
1
2
ANODE  
CATHODE  
3
CATHODE/ANODE  
MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
V
30  
V
R
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25°C  
200  
1.6  
mW  
mW/°C  
3
A
Derate above 25°C  
Forward Current (DC)  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
SOT−323  
CASE 419  
STYLE 9  
B8M G  
G
I
200 Max  
−55 to 125  
−55 to +150  
mA  
°C  
F
1
2
1
T
J
T
stg  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
B8  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54SWT1  
SOT−323  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
BAT54SWT1G SOT−323  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
Publication Order Number:  
1
October, 2005 − Rev. 8  
BAT54SWT1/D  
1234

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BAT54SWT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSVBAT54SWT1G ONSEMI

类似代替

 30 V 肖特基二极管，双，串联
BAT54SWT1 ONSEMI

类似代替

 DUAL SERIES SCHOTTKY BARRIER DIODES

与BAT54SWT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAT54SW-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P
BAT54SWT3 ONSEMI

获取价格

 		2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, SC-70, 3 PIN
BAT54SW-T3 WTE

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAT54SWTF2 YANGJIE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
BAT54SWTHE3 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
BAT54SWTHQ YANGJIE

获取价格

 		SOT-323
BAT54SWTP MCC

获取价格

 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode
BAT54SWTQ YANGJIE

获取价格

 		Small Signal Schottky Rectifier
BAT54SWTR ETC

获取价格

 		DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT323
BAT54SWT-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC P

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