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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 1.53 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.265 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 250 V | 最大反向恢复时间： | 0.15 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSVBAS116LT3G | ONSEMI |
类似代替  |
75 V Switching Diode |
|
| BAV199 | DIODES |
功能相似 |
DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVBAV70DXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
100 V, 200 mA 4 Small Signal Switching Diodes in dual common cathode configuration |
|
| NSVBAV70TT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode |
|
| NSVBAV70TT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode |
|
| NSVBAV99WT3G | ONSEMI |
获取价格 |
100 V 开关二极管，双，串联 |
|
| NSVBAWH56WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
70V Common Anode Switching Diode, +175°C |
|
| NSVBC114EDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVBC114EPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
互补双极数字晶体管 (BRT) |
|
| NSVBC114YDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual NPN Bias Resistor Transistors |
|
| NSVBC114YPDXV65G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
| NSVBC114YPDXV6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT) |
|
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