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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.49 |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 0.625 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.225 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.225 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSVBAT54LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
30 V 肖特基二极管 |
|
| SBAT54CLT1G | ONSEMI |
类似代替 |
肖特基二极管，双共阴极，30 V |
|
| MA157A | PANASONIC |
功能相似 |
Silicon epitaxial planar type |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVBAS21TMR6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode |
|
| NSVBAS21TMR6T2G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode |
|
| NSVBAS21XV2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
250V Switching Diode |
|
| NSVBAS70LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed Low Forward Voltage |
|
| NSVBASH16MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode Series, +175°C |
|
| NSVBASH19LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
高压开关二极管，+175°C |
|
| NSVBASH19MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode Series, +175°C |
|
| NSVBASH20LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
高压开关二极管，+175°C |
|
| NSVBASH20MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Switching Diode Series, +175°C |
|
| NSVBASH21LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
高压开关二极管，+175°C |
|
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