5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBAT54CLT1G
SBAT54CLT1G PDF预览

SBAT54CLT1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
肖特基二极管，双共阴极，30 V

阅读下载

中文翻译

获取价格

SBAT54CLT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.48
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.24 V
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向恢复时间：0.005 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBAT54CLT1G 数据手册

 浏览型号SBAT54CLT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBAT54CLT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SBAT54CLT1G的Datasheet PDF文件第4页 
BAT54CLT1G,  
SBAT54CLT1G  
Dual Common Cathode  
Schottky Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand−held and portable applications where  
space is limited.  
http://onsemi.com  
30 VOLT  
DUAL COMMON CATHODE  
SCHOTTKY BARRIER DIODES  
Features  
Extremely Fast Switching Speed  
Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mAdc  
F
AEC Qualified and PPAP Capable  
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 9  
1
2
ANODE  
ANODE  
MAXIMUM RATINGS (T = 125C unless otherwise noted)  
J
3
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
CATHODE  
V
R
30  
V
MARKING DIAGRAM  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25C  
225  
1.8  
mW  
mW/C  
A
Derate above 25C  
Thermal Resistance (Note 1)  
Junction-to-Ambient (Note 2)  
R
508  
311  
C/W  
5C MG  
q
JA  
G
Forward Current (DC)  
I
200 Max  
mA  
mA  
1
F
Non−Repetitive Peak Forward Current  
t < 10 msec  
p
I
I
FSM  
5C  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
600  
Repetitive Peak Forward Current  
Pulse Wave = 1 sec,  
Duty Cycle = 66%  
mA  
FRM  
300  
(*Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or position may  
vary depending upon manufacturing location.  
Junction Temperature  
T
−55 to +125  
−55 to +150  
C  
C  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 @ Minimum Pad.  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54CLT1G  
SOT−23  
3,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
2. FR−4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad.  
SBAT54CLT1G  
BAT54CLT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 /  
Tape & Reel  
SOT−23  
10,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 8  
BAT54CLT1/D  
 
1234

中文翻译

下载PDF

SBAT54CLT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSVBAT54LT1G ONSEMI

类似代替

 30 V 肖特基二极管
NSVBAS21SLT1G ONSEMI

类似代替

 Dual Series High Voltage Switching Diode
BAT54C-7-F DIODES

功能相似

 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

与SBAT54CLT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBAT54CTT1G ONSEMI

获取价格

 		共阴极肖特基二极管，双，30 V
SBAT54CWT1G ONSEMI

获取价格

 		30 V 共阴极肖特基二极管
SBAT54CWT3G ONSEMI

获取价格

 		30 V 共阴极肖特基二极管
SBAT54SLT1G ONSEMI

获取价格

 		Dual Series Schottky Barrier Diodes
SBAT54T1G ONSEMI

获取价格

 		肖特基势垒二极管
SBAT54XV2T1G ONSEMI

获取价格

 		Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed
SBAT54XV2T5G ONSEMI

获取价格

 		30 V，肖特基二极管
SBAU012 TI

获取价格

 		COMPLETE EVALUATION PLATFORM FOR THE PCM1604 SIX-CHANNEL AUDIO D/A CONVERTER
SBAU175A TI

获取价格

 		ADS1131REF and ADS1231REF
SBAU202 TI

获取价格

 		Performance Demonstration Kit for the ADS130E08

与SBAT54CLT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证