SBAT54XV2T5G

更新时间： 2023-06-19 14:31:31

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安森美 - ONSEMI		快速恢复二极管测试光电二极管肖特基二极管
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30 V，肖特基二极管

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SBAT54XV2T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.66
应用：	FAST RECOVERY	最小击穿电压：	30 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.8 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.2 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向电流：	2 µA
最大反向恢复时间：	0.005 µs	反向测试电压：	25 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SBAT54XV2T5G 数据手册

BAT54XV2T1

Preferred Device

Schottky Barrier Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high−speed

switching applications, circuit protection, and voltage clamping.

Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature

surface mount package is excellent for hand−held and portable

applications where space is limited.

http://onsemi.com

Features

• Extremely Fast Switching Speed

30 VOLT

SILICON HOT−CARRIER

DETECTOR AND SWITCHING

DIODES

• Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mAdc

• Pb−Free Package is Available

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

CATHODE

ANODE

Rating

Symbol

Value

Unit

Reverse Voltage

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

200

(Note 1) T = 25°C

SOD−523

CASE 502

PLASTIC

Derate above 25°C

1.57

635

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

ꢀ

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to 125

°C

stg

MARKING DIAGRAM

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

JVM G

1. FR−4 Minimum Pad.

= Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation may vary depending

upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BAT54XV2T1

SOD−523

3000 / Tape & Reel

BAT54XV2T1G SOD−523

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

October, 2005 − Rev. 3

BAT54XV2T1/D

12 3 4

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SBAV199LT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Series Switching Diode
SBAV199LT3G	ONSEMI	获取价格	Dual Series Switching Diode
SBAV70LT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
SBAV70LT3	ONSEMI	获取价格	0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
SBAV70LT3G	ONSEMI	获取价格	Dual Switching Diode Common Cathode
SBAV70WT1G	ONSEMI	获取价格	100 V 双共阴极开关二极管

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