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SBB1089Z

更新时间： 2024-01-13 16:43:24
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威讯 - RFMD 射频微波
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8页 490K
描述
50MHz to 850MHz CASCADABLE

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SBB1089Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOT-89, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：5A991.GHTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.67特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：14 dB
最大输入功率 (CW)：24 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：850 MHz
最小工作频率：50 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：98 mA表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

SBB1089Z 数据手册

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SBB1089Z  
50MHz to 850MHz,  
CASCADABLE  
Package: SOT-89  
Product Description  
Features  
RFMD’s SBB1089Z is a high performance InGaP HBT MMIC amplifier uti-  
lizing a Darlington configuration with an active bias network. The active  
bias network provides stable current over temperature and process Beta  
variations. Designed to run directly from a 5V supply, the SBB1089Z does  
not require a dropping resistor as compared to typical Darlington amplifi-  
ers. The SBB1089Z product is designed for high linearity 5V gain block  
applications that require small size and minimal external components. It is  
internally matched to 50.  
OIP =43.1dBm at 240MHz  
3
P
=19.6dBm at 500MHz  
1dB  
Single Fixed 5V Supply  
Robust 1000V ESD, Class 1C  
Patented Thermal Design and  
Bias Circuit  
Optimum Technology  
Low Thermal Resistance  
Gain and Return Loss versus Frequency  
Matching® Applied  
(w/ App. Ckt.)  
GaAs HBT  
GaAs MESFET  
InGaP HBT  
SiGe BiCMOS  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
GaAs pHEMT  
Si CMOS  
35  
25  
15  
5
Applications  
S11  
S21  
S22  
Receiver IF Amplifier  
S21  
Cellular, PCS, GSM, UMTS  
Wireless Data, Satellite  
Terminals  
-5  
S11  
-15  
-25  
-35  
Si BJT  
GaN HEMT  
InP HBT  
S22  
RF MEMS  
LDMOS  
50  
150  
250  
350  
450  
550  
650  
750  
850  
Frequency (MHz)  
Specification  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
Typ.  
15.5  
15.5  
15.5  
19.0  
19.0  
19.0  
42.0  
43.0  
40.5  
50 to 850  
18.0  
16.0  
3.5  
Max.  
Small Signal Gain  
dB  
dB  
dB  
70MHz  
240MHz  
400MHz  
70MHz  
240MHz  
400MHz  
70MHz  
240MHz  
14.0  
14.0  
17.0  
17.0  
Output Power at 1dB Compression  
Third Order Intercept Point  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
MHz  
dB  
18.0  
38.5  
400MHz  
Return Loss  
Minimum 10dB  
70MHz to 5000MHz  
70MHz to 5000MHz  
500MHz  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
Noise Figure  
14.0  
12.0  
dB  
dB  
4.2  
Reverse Isolation  
Thermal Resistance  
Device Operating Voltage  
Device Operating Current  
18.0  
48.8  
5.0  
dB  
°C/W  
V
70MHz to 5000MHz  
junction - lead  
5.3  
98.0  
82.0  
90.0  
mA  
Test Conditions: V =5V, I =90mA Typ., OIP Tone Spacing=1MHz, P  
per tone=0dBm, T =25°C, Z =Z =50, Tested with Bias Tees  
L S L  
D
D
3
OUT  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
DS130717  
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SBB1089Z 替代型号

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