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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | TO-236, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.02 |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.715 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.225 W | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压： | 70 V | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBAW56LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode Common Anode |
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| SBAW56LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode Common Anode |
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| SBAW56TT1G | ONSEMI |
获取价格 |
70 V Dual Common Anode Switching Diode |
|
| SBAW56WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
70 V 双共阳极开关二极管 |
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| SBB | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
SURFACE MOUNT RECTIFIER |
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| SBB-1000 | RFMD |
获取价格 |
50MHZ TO 1000MHZ, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER |
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| SBB-1089 | SIRENZA |
获取价格 |
50-850MHz, Cascadable Active Bias InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier |
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| SBB1089Z | RFMD |
获取价格 |
50MHz to 850MHz CASCADABLE |
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| SBB-1089Z | SIRENZA |
获取价格 |
50-850MHz, Cascadable Active Bias InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier |
|
| SBB1089ZPCK1 | RFMD |
获取价格 |
50MHz to 850MHz CASCADABLE |
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