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SBAW56LT3G

更新时间： 2024-02-23 01:08:20
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
Dual Switching Diode Common Anode

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SBAW56LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.06
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.715 V
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：4 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.225 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：70 V最大反向恢复时间：0.006 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SBAW56LT3G 数据手册

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BAW56L, SBAW56L  
Dual Switching Diode  
Common Anode  
Features  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
www.onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
V
STYLE 12  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
200  
2.0  
mA  
A
F
CATHODE  
1
Forward Surge Current  
(60 Hz @ 1 cycle)  
I
I
FSM  
FSM  
FRM  
ANODE  
3
Non−Repetitive Peak Forward Current  
t = 1 ms (Note 3)  
4.0  
A
2
CATHODE  
Repetitive Peak Forward Current  
I
500  
mA  
Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
A1 M G  
G
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
225  
mW  
(Note 1) T = 25°C  
A
1
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
q
A1  
M
= Device Code  
= Date Code*  
JA  
G
= Pb−Free Package  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate,  
P
300  
2.4  
mW  
D
(Note: Microdot may be in either location)  
(Note 2) T = 25°C  
mW/°C  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
BAW56LT1G  
SOT−23  
3,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
SBAW56LT1G  
BAW56LT3G  
SBAW56LT3G  
SOT−23  
3,000 /  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
3. Square Wave; T = 25°C.  
j
SOT−23  
10,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
SOT−23  
10,000 /  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 10  
BAW56LT1/D  
 
1234

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SBAW56LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SBAW56LT1G ONSEMI

完全替代

 Dual Switching Diode Common Anode

与SBAW56LT3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBAW56TT1G ONSEMI

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 		70 V Dual Common Anode Switching Diode
SBAW56WT1G ONSEMI

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 		70 V 双共阳极开关二极管
SBB BL Galaxy Electrical

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 		SURFACE MOUNT RECTIFIER
SBB-1000 RFMD

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 		50MHZ TO 1000MHZ, CASCADABLE ACTIVE BIAS InGaP HBT MMIC AMPLIFIER
SBB-1089 SIRENZA

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SBB1089Z RFMD

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 		50MHz to 850MHz CASCADABLE
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