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SBAV99LT3 PDF预览

SBAV99LT3

更新时间： 2024-02-29 02:42:40
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
0.215A, 70V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

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SBAV99LT3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.06配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBAV99LT3 数据手册

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BAV99WT1,  
SBAV99WT1G,  
BAV99RWT1,  
SBAV99RWT1G  
Dual Series Switching  
Diodes  
http://onsemi.com  
The BAV99WT1 is a smaller package, equivalent to the BAV99LT1.  
Features  
SC−70  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
CASE 419  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q100 Qualified and  
PPAP Capable  
ANODE  
1
CATHODE  
2
3
Suggested Applications  
CATHODE/ANODE  
• ESD Protection  
BAV99WT1  
• Polarity Reversal Protection  
• Data Line Protection  
• Inductive Load Protection  
• Steering Logic  
SC−70, CASE 419, STYLE 9  
CATHODE ANODE  
1
2
3
CATHODE/ANODE  
BAV99RWT1  
SC−70, CASE 419, STYLE 10  
MAXIMUM RATINGS (Each Diode)  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
215  
500  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
MARKING DIAGRAM  
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
I
F
A7  
F7  
M
= BAV99WT1  
= BAV99RWT1  
= Date Code  
X7 MG  
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
G
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
G
= Pb−Free Package  
1
Average Rectified Forward Current  
(Note 1)  
(averaged over any 20 ms period)  
I
715  
mA  
F(AV)  
ORDERING INFORMATION  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mA  
A
FRM  
†
Device  
Package  
Shipping  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
BAV99WT1G  
SC−70  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape & Reel  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
2.0  
1.0  
0.5  
SBAV99WT1G  
BAV99RWT1G  
SBAV99RWT1G  
SC−70  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape & Reel  
3,000 / Tape & Reel  
3,000 / Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
SC−70  
(Pb−Free)  
SC−70  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 7  
BAV99WT1/D  
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBAV99LT3G ONSEMI

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 		Dual Series Switching Diode
SBAV99RWT1G ONSEMI

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 		Dual Series Switching Diodes
SBAV99WT1 ONSEMI

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 		Dual Series Switching Diodes
SBAV99WT1G ONSEMI

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 		Dual Series Switching Diodes
SBAW56LT1 ONSEMI

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 		0.2A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBAW56LT1G ONSEMI

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 		Dual Switching Diode Common Anode
SBAW56LT3G ONSEMI

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 		Dual Switching Diode Common Anode
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SBAW56WT1G ONSEMI

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 		70 V 双共阳极开关二极管
SBB BL Galaxy Electrical

获取价格

 		SURFACE MOUNT RECTIFIER

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