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SBAV99LT3G

更新时间： 2024-09-30 01:09:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 98K
描述
Dual Series Switching Diode

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SBAV99LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：1.06配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.715 VJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.006 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBAV99LT3G 数据手册

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BAV99LT1G,  
SBAV99LT1G,  
BAV99LT3G,  
SBAV99LT3G  
Dual Series  
Switching Diode  
http://onsemi.com  
Features  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
CASE 318  
SOT−23  
STYLE 11  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
ANODE  
CATHODE  
2
MAXIMUM RATINGS (Each Diode)  
1
Rating  
Symbol  
Value  
100  
215  
500  
70  
Unit  
Vdc  
mAdc  
mAdc  
V
3
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
CATHODE/ANODE  
I
F
MARKING DIAGRAM  
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
I
RRM  
Average Rectified Forward Current (Note 1)  
(averaged over any 20 ms period)  
715  
mA  
A7 MG  
F(AV)  
G
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mA  
A
1
FRM  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
A7 = Device Code  
M
G
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
2.0  
1.0  
0.5  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
ORDERING INFORMATION  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
†
Device  
Package  
Shipping  
Total Device Dissipation  
P
D
225  
mW  
BAV99LT1G  
SOT−23  
3,000 / Tape & Reel  
FR−5 Board (Note 1) T = 25°C  
A
(Pb−Free)  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
SBAV99LT1G  
BAV99LT3G  
SBAV99LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape & Reel  
10,000 / Tape & Reel  
10,000 / Tape & Reel  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
D
SOT−23  
(Pb−Free)  
Alumina Substrate (Note 2)  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
SOT−23  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
417  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−65 to  
+150  
J
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in 99.5% alumina.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
May, 2013 − Rev. 9  
BAV99LT1/D  
 
123

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