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SBAV199LT1G

更新时间： 2024-02-07 11:44:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Dual Series Switching Diode

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SBAV199LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-346包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.03
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227050Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08Samacsys Released Date：2015-09-08 09:58:09
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.9 VJEDEC-95代码：TO-236AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.215 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.225 W
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBAV199LT1G 数据手册

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BAV199L, SBAV199L  
Dual Series Switching  
Diode  
Features  
• Low Leakage Current Applications  
• Medium Speed Switching Times  
www.onsemi.com  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
CASE 318  
SOT−23  
STYLE 11  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
70  
Unit  
Vdc  
ANODE  
CATHODE  
2
Reverse Voltage  
Forward Current  
V
R
1
I
215  
500  
70  
mAdc  
mAdc  
Vdc  
F
3
Peak Forward Surge Current  
I
FM(surge)  
CATHODE/ANODE  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
MARKING DIAGRAM  
Average Rectified Forward Current  
(Note 1)  
I
715  
mAdc  
F(AV)  
(Averaged Over Any 20 ms Period)  
Repetitive Peak Forward Current  
I
450  
mAdc  
Adc  
FRM  
JY M G  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
FSM  
G
t = 1.0 ms  
t = 1.0 ms  
t = 1.0 s  
2.0  
1.0  
0.5  
JY = Specific Device Code  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Symbol  
Max  
Unit  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation  
P
D
FR−5 Board (Note 1), T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation  
R
556  
°C/W  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
P
D
Alumina Substrate (Note 2), T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Derate above 25°C  
BAV199LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 /  
Tape & Reel  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
T , T  
J
−65 to +150  
stg  
SBAV199LT1G  
SBAV199LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 /  
Tape & Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 /  
Tape & Reel  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 10  
BAV199LT1/D  
 
1234

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SBAV199LT1G 替代型号

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