SBAT54CTT1G

更新时间： 2023-06-19 14:31:30

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安森美 - ONSEMI		光电二极管整流二极管肖特基二极管
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描述
共阴极肖特基二极管，双，30 V

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SBAT54CTT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.69
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.24 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.225 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SBAT54CTT1G 数据手册

BAT54CTT1

Preferred Device

Dual Series Schottky

Barrier Diodes

These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching

applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low

forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount

package is excellent for hand held and portable applications where

space is limited.

http://onsemi.com

Features

30 VOLT

DUAL COMMON CATHODE

SCHOTTKY BARRIER

DIODES

• Extremely Fast Switching Speed

• Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc

• Pb−Free Package is Available

ANODE

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

CATHODE

Rating

Reverse Voltage

Symbol

Value

Unit

MARKING

DIAGRAM

Forward Power Dissipation

@ T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance,

Junction-to-Ambient (Note 1)

555

°C/W

SC−75

CASE 463

STYLE 3

5CM G

Forward Current (DC)

200 Max

−55 to 125

−55 to +150

°C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

°C

stg

= Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation may vary depending

upon manufacturing location.

1. FR−4 board with minimum mounting pad.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

BAT54CTT1

BAT54CTT1G

SC−75

3000 / Tape & Reel

SC−75

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

October, 2005 − Rev. 2

BAT54CTT1/D

12 3 4

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与SBAT54CTT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SBAT54CWT1G	ONSEMI	获取价格	30 V 共阴极肖特基二极管
SBAT54CWT3G	ONSEMI	获取价格	30 V 共阴极肖特基二极管
SBAT54SLT1G	ONSEMI	获取价格	Dual Series Schottky Barrier Diodes
SBAT54T1G	ONSEMI	获取价格	肖特基势垒二极管
SBAT54XV2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diodes Extremely Fast Switching Speed
SBAT54XV2T5G	ONSEMI	获取价格	30 V，肖特基二极管
SBAU012	TI	获取价格	COMPLETE EVALUATION PLATFORM FOR THE PCM1604 SIX-CHANNEL AUDIO D/A CONVERTER
SBAU175A	TI	获取价格	ADS1131REF and ADS1231REF
SBAU202	TI	获取价格	Performance Demonstration Kit for the ADS130E08
SBAV199LT1	ONSEMI	获取价格	0.215A, 70V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

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