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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBAT54SLT1G
SBAT54SLT1G PDF预览

SBAT54SLT1G

更新时间： 2024-01-10 00:23:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管测试光电二极管PC快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
Dual Series Schottky Barrier Diodes

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SBAT54SLT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SOT-23, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：4 weeks
风险等级：1.49Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：227049
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08
Samacsys Released Date：2015-09-08 07:09:04Is Samacsys：N
应用：FAST RECOVERY最小击穿电压：30 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.8 V
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：0.6 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.225 W参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：2 µA
最大反向恢复时间：0.005 µs反向测试电压：25 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SBAT54SLT1G 数据手册

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BAT54SLT1G,  
SBAT54SLT1G  
Dual Series Schottky  
Barrier Diodes  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand held and portable applications where  
space is limited.  
http://onsemi.com  
30 VOLT  
DUAL HOT−CARRIER  
DETECTOR AND SWITCHING  
DIODES  
Features  
Extremely Fast Switching Speed  
Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ I = 10 mAdc  
F
AEC Qualified and PPAP Capable  
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements  
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant*  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 11  
MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
1
2
ANODE  
CATHODE  
Rating  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
3
V
R
30  
V
CATHODE/ANODE  
Forward Power Dissipation  
P
F
@ T = 25C  
225  
1.8  
mW  
mW/C  
A
MARKING DIAGRAM  
Derate above 25C  
Forward Current (DC)  
I
F
200 Max  
mA  
Non−Repetitive Peak Forward Current  
I
LD3M G  
FSM  
t < 10 msec  
600  
1.0  
mA  
A
p
G
Square pulse = 1 sec  
1
Repetitive Peak Forward Current  
Pulse Wave = 1 sec,  
Duty Cycle = 66%  
I
mA  
FRM  
300  
LD3  
M
= Device Code  
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
Junction Temperature  
T
−55 to 150  
C  
C  
J
(Note: Microdot may be in either location)  
Storage Temperature Range  
T
stg  
−55 to +150  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
BAT54SLT1G  
SOT−23  
3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
SBAT54SLT1G  
SOT−23  
3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
November, 2011 − Rev. 15  
BAT54SLT1/D  
1234

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