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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.57 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.18 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSVT489AMT1G | ONSEMI |
完全替代  |
High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme |
|
| SNSS30201MR6T1G | ONSEMI |
类似代替 |
30 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Junction Transistor |
|
| NST489AMT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSS35200CF8T1G | ONSEMI |
获取价格 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Managemen |
|
| NSS35200CF8T1G_06 | ONSEMI |
获取价格 |
35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
|
| NSS35200MR6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
|
| NSS3-WH | COOPER |
获取价格 |
30 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 2 ROWS, 1 DECK |
|
| NSS-4-01 | RICHCO |
获取价格 |
NYLON SCREWS |
|
| NSS40200L | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Transistor |
|
| NSS40200L_16 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Transistor |
|
| NSS40200LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
|
| NSS40200LT1G_07 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
|
| NSS40200UW6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
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