5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NST489AMT1G
NST489AMT1G PDF预览

NST489AMT1G

更新时间： 2024-02-11 10:45:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管便携式
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

NST489AMT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：LEAD FREE, CASE 318G-02, TSSOP-6针数：6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz

NST489AMT1G 数据手册

 浏览型号NST489AMT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NST489AMT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NST489AMT1G的Datasheet PDF文件第4页 
NST489AMT1  
High Current Surface Mount  
NPN Silicon Low VCE(sat)  
Switching Transistor for  
Load Management in  
http://onsemi.com  
Portable Applications  
30 VOLTS, 3.0 AMPS  
NPN TRANSISTOR  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
COLLECTOR  
1, 2, 5, 6  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Max  
30  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
3
BASE  
V
50  
V
CBO  
EBO  
V
5.0  
2.0  
3.0  
V
4
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
I
C
A
EMITTER  
I
A
CM  
4
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
5
6
Symbol  
Max  
Unit  
3
2
1
Total Device Dissipation  
P
D
(Note 1)  
T = 25°C  
535  
4.3  
mW  
mW/°C  
A
TSOP−6  
CASE 318G  
STYLE 6  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
(Note 1)  
234  
°C/W  
q
JA  
Total Device Dissipation  
P
(Note 2)  
(Note 2)  
D
DEVICE MARKING  
T = 25°C  
1.180  
9.4  
W
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
106  
°C/W  
q
JA  
N2 M G  
G
Thermal Resistance,  
Junction−to−Lead #1  
R
R
(Note 1)  
(Note 2)  
110  
50  
°C/W  
°C/W  
q
q
JL  
JL  
Total Device Dissipation  
(Single Pulse < 10 s)  
P
1.75  
W
N2 = Specific Device Code  
Dsingle  
(Notes 2 and 3)  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending upon  
manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−4 with 1 oz and 3.9 mm of copper area.  
2. FR−4 with 1 oz and 645 mm of copper area.  
ORDERING INFORMATION  
2
2
†
Device  
Package  
Shipping  
3. Refer to Figure 8.  
TSSOP−6  
NST489AMT1  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
NST489AMT1G  
TSSOP−6  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 7  
NST489AMT1/D  
 
1234

中文翻译

下载PDF

NST489AMT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NSVT489AMT1G ONSEMI

类似代替

 High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme
NSS30201MR6T1G ONSEMI

类似代替

 High Efficiency DC-DC Converters
NST489AMT1 ONSEMI

类似代替

 High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme

与NST489AMT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NST520 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 20V V(RRM)
NST520 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 20V V(RRM),
NST520R LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 20V V(RRM)
NST520R DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 20V V(RRM),
NST530 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 30V V(RRM)
NST530 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 30V V(RRM),
NST530R LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 30V V(RRM)
NST545 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 45V V(RRM)
NST545 DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 45V V(RRM),
NST545R LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 45V V(RRM)

与NST489AMT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证