5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NSS35200CF8T1G
NSS35200CF8T1G PDF预览

NSS35200CF8T1G

更新时间： 2024-11-03 22:28:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体开关晶体管便携式
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE-SAT Switching Transistor for Load Management in Portable Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

NSS35200CF8T1G 数据手册

 浏览型号NSS35200CF8T1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NSS35200CF8T1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NSS35200CF8T1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NSS35200CF8T1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NSS35200CF8T1G的Datasheet PDF文件第6页 
NSS35200CF8T1G  
High Current Surface Mount  
PNP Silicon Low VCE−SAT  
Switching Transistor for  
Load Management in  
Portable Applications  
• This is a Pb−Free Device  
http://onsemi.com  
35 VOLTS  
2.0 AMPS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
PNP TRANSISTOR  
Rating  
Symbol  
Max  
−35  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
A
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
COLLECTOR  
1, 2, 3, 6, 7, 8  
−55  
−5.0  
−2.0  
−7.0  
4
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
Electrostatic Discharge  
I
C
BASE  
I
CM  
ESD  
HBM Class 3  
MM Class C  
5
EMITTER  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
ChipFET]  
CASE 1206A  
STYLE 4  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
(Note 1)  
635  
mW  
D
Derate above 25°C  
5.1  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
(Note 1)  
200  
q
JA  
PIN  
MARKING  
DIAGRAM  
CONNECTIONS  
Total Device Dissipation  
P
(Note 2)  
(Note 2)  
1.35  
W
D
T = 25°C  
A
8
7
6
5
1
2
3
4
C
C
C
E
C
C
C
B
1
2
3
4
8
7
6
5
Derate above 25°C  
11  
90  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Lead #1  
R
15  
°C/W  
W
q
JL  
Total Device Dissipation  
(Single Pulse < 10 sec)  
P
2.75  
Dsingle  
(Notes 2 & 3)  
G4= Specific Device Code  
M = Month Code  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NSS35200CF8T1G  
Package  
Shipping  
ChipFET  
(Pb−Free)  
3000/  
Tape & Reel  
2
1. FR−4 @ 100 mm , 1 oz copper traces.  
2
2. FR−4 @ 500 mm , 1 oz copper traces.  
3. Thermal response.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
April, 2005 − Rev. 2  
NSS35200CF8T1G/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

与NSS35200CF8T1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSS35200CF8T1G_06 ONSEMI

获取价格

 		35 V, 7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS35200MR6T1G ONSEMI

获取价格

 		35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS3-WH COOPER

获取价格

 		30 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 2 ROWS, 1 DECK
NSS-4-01 RICHCO

获取价格

 		NYLON SCREWS
NSS40200L ONSEMI

获取价格

 		PNP Transistor
NSS40200L_16 ONSEMI

获取价格

 		PNP Transistor
NSS40200LT1G ONSEMI

获取价格

 		40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS40200LT1G_07 ONSEMI

获取价格

 		40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS40200UW6T1G ONSEMI

获取价格

 		40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSS40201LT1G ONSEMI

获取价格

 		40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor

与NSS35200CF8T1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证