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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 13 weeks | 风险等级： | 5.75 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSVT489AMT1G | ONSEMI |
类似代替  |
High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme |
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| NSS30201MR6T1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Efficiency DC-DC Converters |
|
| NST489AMT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Current Surface Mount NPN Silicon Low VCE(sat) Switching Transistor for Load Manageme |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SNSS35200MR6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
低饱和压晶体管，PNP，35 V，5.0 A |
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| SNSS40600CF8T1G | ONSEMI |
获取价格 |
双极晶体管，低饱和压，PNP，6.0 A，40 V |
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| SNST3904DXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极晶体管 |
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| SNT Series | MERITEK |
获取价格 |
SNT Series | NTC Surface Mount |
|
| SNT-100-BK-G | SAMTEC |
获取价格 |
.100 [2.54] C.L. SHUNT ASSEMBLY |
|
| SNT-100-BK-G-H | TI |
获取价格 |
ADS1131REF and ADS1231REF |
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| SNT-100-BK-G-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |
|
| SNT-100-BK-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |
|
| SNT-100-BK-H-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |
|
| SNT-100-BK-T | TI |
获取价格 |
TLV320AIC3104EVM and TLV320AIC3104EVM-PDK |
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