是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数: | 6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 1.16 | 最大集电极电流 (IC): | 2 A |
集电极-发射极最大电压: | 35 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 1.75 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SNSS35200MR6T1G | ONSEMI |
类似代替 |
低饱和压晶体管,PNP,35 V,5.0 A | |
MBT35200MT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSS3-WH | COOPER |
获取价格 |
30 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 2 ROWS, 1 DECK | |
NSS-4-01 | RICHCO |
获取价格 |
NYLON SCREWS | |
NSS40200L | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Transistor | |
NSS40200L_16 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Transistor | |
NSS40200LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor | |
NSS40200LT1G_07 | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor | |
NSS40200UW6T1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor | |
NSS40201LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor | |
NSS40300CTWG | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor | |
NSS40300DDR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |