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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 商用集成电路类型： | DOLBY NOISE REDUCTION IC | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Noise Suppression ICs |
| 最大压摆率： | 24 mA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE646 | ETC |
获取价格 |
Dolby Noise Reduction Circuit |
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| NE646BN | PHILIPS |
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Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16 |
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| NE646N | ETC |
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Dolby Noise Reduction Circuit |
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| NE64700 | ASI |
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NPN SILICON MICROWAVE TRANSISTOR |
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| NE64800 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 9V V(BR)CEO | 40MA I(C) | CHIP |
|
| NE649N | PHILIPS |
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Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16, |
|
| NE649N-A | PHILIPS |
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Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16 |
|
| NE649N-B | PHILIPS |
获取价格 |
Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16 |
|
| NE649NSIIA | PHILIPS |
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Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16 |
|
| NE649NSIIB | PHILIPS |
获取价格 |
Dolby Noise Reduction IC, Bipolar, PDIP16 |
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