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NE64535-T1

更新时间: 2024-11-14 19:51:39
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 244K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

NE64535-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.78
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.065 A
基于收集器的最大容量:0.6 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:L BANDJESD-30 代码:O-CRDB-F4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):10 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8500 MHzBase Number Matches:1

NE64535-T1 数据手册

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