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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5517NG | ONSEMI |
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Dual Operational Transconductance Amplifier |
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| NE5517NSIIA | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 |
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| NE5517NSIIB | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 |
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| NE5520279A | CEL |
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3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A | NEC |
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NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE5520279A-T1 | NEC |
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NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A-T1A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE5520279A-T1-A | CEL |
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3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520379A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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