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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | TRANSCONDUCTANCE | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 5 µA |
| 频率补偿： | YES | 最大输入失调电压： | 5000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 低-失调： | NO | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Operational Amplifiers |
| 最大压摆率： | 4 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5517NSIIB | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP16 |
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| NE5520279A | CEL |
获取价格 |
3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A | NEC |
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NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE5520279A-T1 | NEC |
获取价格 |
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520279A-T1A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE5520279A-T1-A | CEL |
获取价格 |
3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520379A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE5520379A | CEL |
获取价格 |
NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5520379A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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