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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-223 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 3.29 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 4505 |
| Samacsys Pin Count： | 4 | Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | SOT223 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name： | SOT-223 4L-5 |
| Samacsys Released Date： | 2015-04-22 06:42:06 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 174 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NDT2955 | ONSEMI |
功能相似  |
P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-2.5A，300mΩ |
|
| IRFL9014TRPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| BSP613P | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT2955 (KDT2955) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
|
| NDT2955(J23Z) | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223 |
|
| NDT2955/D84Z | TI |
获取价格 |
2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT2955/L99Z | TI |
获取价格 |
2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT2955/S62Z | TI |
获取价格 |
2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT2955_02 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT2955_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT2955D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT2955J23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| NDT2955L84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
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