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NDT2955/D84Z

更新时间: 2024-11-16 19:10:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
2.5A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT2955/D84Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):2.5 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-261
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL功耗环境最大值:1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):15 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):60 ns
最大开启时间(吨):55 nsBase Number Matches:1

NDT2955/D84Z 数据手册

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