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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDT3055LTNR
NDT3055LTNR PDF预览

NDT3055LTNR

更新时间： 2024-11-16 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 228K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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NDT3055LTNR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT3055LTNR 数据手册

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May 1998  
NDT3055  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
4 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = 10 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as DC motor control and  
DC/DC conversion where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
SuperSOTTM-3  
SuperSOTTM-8  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SOIC-16  
D
D
D
D
S
D
S
S
G
G
D
S
G
G
SOT-223  
SOT-223*  
(J23Z)  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT3055  
Units  
Drain-Source Voltage  
60  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
V
A
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
4
25  
3
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
1.3  
1.1  
(Note 1c)  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
NDT3055 Rev.B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与NDT3055LTNR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT3055LTNR_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDT35N06 KEXIN

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 		N-Channel MOSFET
NDT40N06 KEXIN

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 		N-Channel MOSFET
NDT40P04 KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
NDT40P06 KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
NDT410EL FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT410EL TI

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 		2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT410EL(J23Z) FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | SOT-223
NDT410EL/D84Z TI

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 		2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT410EL/J23Z TI

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 		2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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