是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 25 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NDT410EL | FAIRCHILD |
类似代替 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NDT451N/D84Z | TI |
获取价格 |
5.5A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | |
NDT451N/J23Z | TI |
获取价格 |
5.5A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | |
NDT451ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
NDT451NJ23ZD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
NDT451NL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
NDT452 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
NDT452AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
NDT452AP | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | |
NDT452AP | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道增强型场效应晶体管 -30V,-5A,65mΩ | |
NDT452AP | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-30V;持续漏极电流(Id)(在25°C |