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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT452AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT452AP | TI |
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5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT452AP | ONSEMI |
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P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ |
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| NDT452AP | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| NDT452AP(J23Z) | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
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| NDT452AP/D84Z | TI |
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5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT452AP/J23Z | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| NDT452AP/L99Z | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT452AP/S62Z | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT452AP_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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