5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT451N/J23Z | TI |
获取价格 |
5.5A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDT451ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT451NJ23ZD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT451NL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| NDT452 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT452AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT452AP | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT452AP | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ |
|
| NDT452AP | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| NDT452AP(J23Z) | FAIRCHILD |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
