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NDT451NJ23ZD84Z

更新时间： 2024-11-16 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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NDT451NJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.05 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT451NJ23ZD84Z 数据手册

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September 1996  
NDT451N  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
5.5A, 30V. RDS(ON) = 0.05W @ VGS = 10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
on-state resistance and  
provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as DC motor control and  
DC/DC conversion where fast switching, low in-line power  
loss, and resistance to transients are needed.  
___________________________________________________________________________________________________________  
D
D
D
S
G
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT451N  
30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
±20  
Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
±5.5  
±25  
3
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDT451N Rev. C2  
1234567...10

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与NDT451NJ23ZD84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT451NL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
NDT452 FAIRCHILD

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 		P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP FAIRCHILD

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 		P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT452AP TI

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 		5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452AP ONSEMI

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 		P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ
NDT452AP UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
NDT452AP(J23Z) FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223
NDT452AP/D84Z TI

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 		5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT452AP/J23Z TI

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 		5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDT452AP/L99Z TI

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 		5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

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