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NDT410ELJ23ZD84Z

更新时间： 2024-11-16 21:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 228K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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NDT410ELJ23ZD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT410ELJ23ZD84Z 数据手册

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August 1996  
NDT410EL  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel logic level enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS  
technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on-state resistance, provide superior  
switching performance, and withstand high energy pulses  
in the avalanche and commutation modes. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such as  
automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and  
other battery powered circuits where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are needed.  
2.1A 100V. RDS(ON) = 0.25W @ VGS = 5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
___________________________________________________________________________________________  
D
D
S
G
D
S
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT410EL  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
20  
V
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
2.1  
10  
3
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
NDT410EL Rev. B1  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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