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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT451N/D84Z | TI |
获取价格 |
5.5A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT451N/J23Z | TI |
获取价格 |
5.5A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDT451ND84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT451NJ23ZD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| NDT451NL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.08ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| NDT452 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT452AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT452AP | TI |
获取价格 |
5A, 30V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT452AP | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道增强型场效应晶体管 -30V，-5A，65mΩ |
|
| NDT452AP | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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