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NDT35N06

更新时间： 2024-11-17 18:09:19

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描述
N-Channel MOSFET

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NDT35N06 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel Enhancement MOSFET

NDT35N06

TO-252

Unit: mm

■ Features

0.15

6.50⁺_-

5.30⁺_-

0.15

0.1

2.30⁺_-

0.2

0.8

0.7

0.50 ⁺_-

● VDS (V) = 60V

● ID = 35 A

● RDS(ON) ＜ 23mΩ (VGS = 10V)

2,4

● RDS(ON) ＜ 33mΩ (VGS = 4.5V)

● RDS(ON) ＜ 37mΩ (VGS = 4V)

0.127

max

+0.1

-0.1

0.80

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

0.1

0.60⁺_-

2.3

4.60⁺_-

0.15

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current (Note.1)

Avalanche Current (Note.2)

Avalanche Energy (Single Pulse) (Note.3)

Power Dissipation Tc=25°C

Junction Temperature

105

150

℃

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

Note.1 :PW ≤ 10 us, duty cycle ≤ 1%

Note.2 :L≤100μH, Single pulse

Note.3 :VDD=10V, L=100μH, IAV=18A

www.kexin.com.cn

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