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NDT410ELJ23Z

更新时间： 2024-11-16 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NDT410ELJ23Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：15 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.1 A
最大漏极电流 (ID)：2.1 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT410ELJ23Z 数据手册

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August 1996  
NDT410EL  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
Power SOT N-Channel logic level enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS  
technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on-state resistance, provide superior  
switching performance, and withstand high energy pulses  
in the avalanche and commutation modes. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such as  
automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and  
other battery powered circuits where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are needed.  
2.1A 100V. RDS(ON) = 0.25W @ VGS = 5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
___________________________________________________________________________________________  
D
D
S
G
D
S
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT410EL  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
20  
V
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
2.1  
10  
3
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
NDT410EL Rev. B1  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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与NDT410ELJ23Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDT410ELJ23ZD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
NDT451 FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451AN ONSEMI

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 		N 沟道增强型场效应晶体管，30V，7.2A，35mΩ
NDT451AN(J23Z) FAIRCHILD

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
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 		7.2A, 30V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
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 		7.2A, 30V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT451AN_09 FAIRCHILD

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 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT451ANJ23Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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