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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT410EL/L99Z | TI |
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2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT410EL/S62Z | TI |
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2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
|
| NDT410ELD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NDT410ELJ23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NDT410ELJ23ZD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| NDT451 | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT451AN | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDT451AN | ONSEMI |
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N 沟道增强型场效应晶体管，30V，7.2A，35mΩ |
|
| NDT451AN(J23Z) | FAIRCHILD |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223 |
|
| NDT451AN/D84Z | TI |
获取价格 |
7.2A, 30V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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