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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 60 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 55 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDT2955_02 | FAIRCHILD |
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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT2955_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT2955D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT2955J23Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT2955L84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT2955S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT2N60 | KEXIN |
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N-Channel MOSFET |
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| NDT2N60P | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| NDT3055 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT3055 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ |
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