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NDT3055L PDF预览

NDT3055L

更新时间： 2024-11-17 11:14:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，4A，100mΩ

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NDT3055L 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.94
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：230544Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 4LSamacsys Released Date：2017-04-14 08:47:35
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT3055L 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Transistor - N-Channel,  
Logic Level, Enhancement  
Mode Field Effect  
D
S
D
G
NDT3055L  
SOT−223  
CASE 318H−01  
General Description  
This Logic Level N−Channel enhancement mode power field effect  
transistor is produced using onsemi’s proprietary, high cell density,  
DMOS technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on−state resistance and provide superior  
switching performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. This device is particularly suited  
for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC  
conversion where fast switching, low in−line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
MARKING DIAGRAM  
AYW  
3055LG  
G
1
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Package  
Features  
W
3055L  
G
• 4 A, 60 V  
♦ R  
♦ R  
= 0.100 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.120 W @ V = 4.5 V  
DS(ON)  
GS  
(Note: Microdot may be in either location)  
• Low Drive Requirements Allowing Operation Directly from Logic  
Drivers. V < 2V.  
GS(TH)  
PINOUT DIAGRAM  
• High Density Cell Design for Extremely Low R  
.
DS(ON)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package.  
D
• This is a Pb−Free Device  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
D
S
G
V
DSS  
GSS  
V
Gate−Source Voltage − Continuous  
20  
V
I
D
Maximum Drain Current  
A
ORDERING INFORMATION  
− Continuous (Note 1a)  
4
†
− Pulsed  
Maximum Power Dissipation (Note 1a)  
(Note 1b)  
25  
3
Device  
NDT3055L  
Shipping  
Package  
P
D
W
4000 / Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1.3  
1.1  
(Note 1c)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
T ,  
Operating and Storage Temperature Range −65 to 150  
°C  
J
T
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
42  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
12  
°C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1998  
1
Publication Order Number:  
July, 2022 − Rev. 2  
NDT3055L/D  
123456

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NDT3055L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDT3055 ONSEMI

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