NDT3055

更新时间： 2024-09-27 22:29:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	228K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDT3055 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NDT3055 数据手册

May 1998

NDT3055

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

4 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.100 W @ V_GS= 10 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high

density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for

low voltage applications such as DC motor control and

DC/DC conversion where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

SuperSOT^TM-3

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SO-8

SOT-223

SOIC-16

SOT-223

SOT-223*

(J23Z)

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT3055

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

±20

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.3

1.1

(Note 1c)

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT3055 Rev.B

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NDT3055 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NDT3055L	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
STN3NF06L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET
STN3NF06	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET

与NDT3055相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT3055(J23Z)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| SOT-223
NDT3055/D84Z	TI	获取价格	4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT3055_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDT3055D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDT3055L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT3055L	ONSEMI	获取价格	N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，4A，100mΩ
NDT3055L	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
NDT3055L(J23Z)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 3.7A I(D) \| SOT-223
NDT3055L/D84Z	TI	获取价格	3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT3055L/L99Z	TI	获取价格	3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

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