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NDT3055/D84Z

更新时间: 2024-09-29 14:36:39
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT3055/D84Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.7Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):4 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-261JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM):25 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):125 ns最大开启时间(吨):75 ns
Base Number Matches:1

NDT3055/D84Z 数据手册

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