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NDT3055L99Z

更新时间： 2024-11-16 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 82K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT3055L99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDT3055L99Z 数据手册

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May 1998  
NDT3055  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
4 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 W @ VGS = 10 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as DC motor control and  
DC/DC conversion where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
SuperSOTTM-3  
SuperSOTTM-8  
SuperSOTTM-6  
SO-8  
SOT-223  
SOIC-16  
D
D
D
D
S
D
S
S
G
G
D
S
G
G
SOT-223  
SOT-223*  
(J23Z)  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDT3055  
Units  
Drain-Source Voltage  
60  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
V
A
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
4
25  
3
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
1.3  
1.1  
(Note 1c)  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
42  
12  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
* Order option J23Z for cropped center drain lead.  
NDT3055 Rev.B  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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