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NDT3055LL99Z

更新时间： 2024-11-16 15:46:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	84K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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NDT3055LL99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDT3055LL99Z 数据手册

August 1998

NDT3055L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These logic level N-Channel enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This

very high density process is especially tailored to

minimize on-state resistance and provide superior

switching performance, and withstand high energy pulse

in the avalanche and commutation modes. These devices

are particularly suited for low voltage applications such as

DC motor control and DC/DC conversion where fast

switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

4 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.100 W @ V_GS= 10 V,

R_DS(ON)= 0.120 W @ V_GS= 4.5 V.

Low drive requirements allowing operation directly from logic

drivers. V_GS(TH)< 2V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

SuperSOT^TM-3

SuperSOT^TM-8

SO-8

SuperSOT^TM-6

SOIC-16

SOT-223

(J23Z)

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDT3055L

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

±20

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

NDT3055L Rev.A1

12 3 4 5

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与NDT3055LL99Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDT3055LTNR	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDT3055LTNR_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
NDT35N06	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
NDT40N06	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
NDT40P04	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
NDT40P06	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
NDT410EL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDT410EL	TI	获取价格	2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
NDT410EL(J23Z)	FAIRCHILD	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 2.1A I(D) \| SOT-223
NDT410EL/D84Z	TI	获取价格	2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

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