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NDT3055

更新时间： 2024-09-29 11:12:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 195K
描述
N 沟道增强型场效应晶体管 60V，4A，100mΩ

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NDT3055 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.91
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN (SN)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDT3055 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
N-Channel Enhancement  
D
Mode Field Effect Transistor  
S
D
NDT3055  
G
General Description  
SOT−223  
CASE 318H−01  
These N−Channel enhancement mode power field effect transistors  
are produced using onsemi’s proprietary, high cell density, DMOS  
technology. This very high density process is especially tailored  
to minimize on−state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as DC motor control and DC/DC conversion where  
fast switching, low in−line power loss, and resistance to transients are  
needed.  
MARKING DIAGRAM  
AYW  
3055G  
G
Features  
1
• 4 A, 60 V  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
♦ R  
= 0.100 W @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
• High Density Cell Design for Extremely Low R  
W
3055  
G
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Package  
DS(ON)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package  
• This is a Pb−Free Device  
(Note: Microdot may be in either location)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
PINOUT DIAGRAM  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Value  
60  
Unit  
V
D
V
DSS  
GSS  
V
Gate−Source Voltage  
20  
V
I
D
Drain Current  
A
− Continuous (Note 1a)  
4
− Pulsed  
25  
D
S
G
P
D
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
W
3
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.3  
1.1  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NDT3055  
Shipping  
T ,  
STG  
Operating and Storage Temperature Range −65 to 150  
°C  
Package  
J
T
4000 / Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 1a)  
42  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case (Note 1)  
12  
°C/W  
q
JC  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1998  
1
Publication Order Number:  
September, 2022 − Rev. 2  
NDT3055/D  
123456

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NDT3055 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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 		N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，4A，100mΩ
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
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