5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0033 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 58 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NDD03N50ZT4G | ONSEMI |
功能相似  |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDD03N50ZT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 |
|
| NDD03N60Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
|
| NDD03N60Z-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
|
| NDD03N60ZT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 |
|
| NDD03N80Z | ONSEMI |
获取价格 |
N.Channel Power MOSFET |
|
| NDD03N80Z.1G | ONSEMI |
获取价格 |
N.Channel Power MOSFET |
|
| NDD03N80Z_13 | ONSEMI |
获取价格 |
NâChannel Power MOSFET |
|
| NDD03N80Z-1G | ONSEMI |
获取价格 |
NâChannel Power MOSFET |
|
| NDD03N80ZT4G | ONSEMI |
获取价格 |
N.Channel Power MOSFET |
|
| NDD04N50Z | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
