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NDD04N62ZT4G

更新时间： 2024-11-02 05:52:03
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 150K
描述
N-Channel Power MOSFET 620 V, 1.8 

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NDD04N62ZT4G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 369AA-01, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：620 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A
最大漏极电流 (ID)：4.1 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDD04N62ZT4G 数据手册

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NDF04N62Z, NDP04N62Z,  
NDD04N62Z  
N-Channel Power MOSFET  
620 V, 1.8 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
V
R
(TYP) @ 2 A  
DS(ON)  
DSS  
• These Devices are Pb−Free and RoHS Compliant  
620 V  
1.8 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
N−Channel  
Parameter  
Symbol  
V
NDF  
NDP  
620  
NDD Unit  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
4.4  
(Note 2)  
4.4  
4.1  
2.6  
16  
A
D
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
2.8  
(Note 2)  
2.8  
18  
96  
A
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current,  
@ 10V  
I
18  
(Note 2)  
A
DM  
V
GS  
S (3)  
Power Dissipation R  
(Note 1)  
P
D
28  
83  
W
q
JC  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
V
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
120  
mJ  
Energy, I = 4.0 A  
D
ESD (HBM) (JESD22−A114)  
V
3000  
V
V
esd  
4
RMS Isolation Voltage  
V
ISO  
4500  
−
−
(t = 0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
4
T = 25°C) (Figure 14)  
A
2
1
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 3)  
4.0  
V/ns  
A
1
1
2
1
2
3
2
3
3
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
3
DPAK  
TO−220FP TO−220AB  
IPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
CASE 221D CASE 221A  
STYLE 1  
CASE 369D  
STYLE 5  
STYLE 2  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for  
10 s Package Body for 10 s  
T
300  
260  
°C  
L
T
PKG  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1″ sq. pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
2. Limited by maximum junction temperature  
3. I = 4.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
This document contains information on some products that are still under development.  
ON Semiconductor reserves the right to change or discontinue these products without  
notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 1  
NDF04N62Z/D  
 
1234567...9

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