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NDD506BE/L86Z

更新时间: 2024-11-02 19:40:39
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德州仪器 - TI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

NDD506BE/L86Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.06 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:72 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

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