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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 72 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDD506B | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506B/L86Z | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BE | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BE/L86Z | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BEL | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BEL/L86Z | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BL | TI |
获取价格 |
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BL/L86Z | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD60N360U1 | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET |
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| NDD60N360U1-1G | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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