5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NDDL01N60ZT4G
NDDL01N60ZT4G PDF预览

NDDL01N60ZT4G

更新时间： 2024-11-03 11:13:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
11页 307K
描述
功率 MOSFET，600V，0.8A，15Ω，单 N 沟道，DPAK

阅读下载

中文翻译

获取价格

NDDL01N60ZT4G 数据手册

 浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDDL01N60ZT4G的Datasheet PDF文件第7页 
NDDL01N60Z, NDTL01N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 15 W  
Features  
• 100% Avalanche Tested  
• Gate Charge Minimized  
http://onsemi.com  
• Zener−protected  
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
V
R
MAX  
DS(ON)  
(BR)DSS  
Compliant  
600 V  
15 W @ 10 V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Symbol  
NDD  
NDT  
Unit  
V
N−Channel MOSFET  
D (2, 4)  
V
DSS  
600  
30  
V
GS  
V
I
D
0.8  
0.5  
26  
0.25  
0.15  
2
A
Steady State, T = 25°C (Note 1)  
C
Continuous Drain Current  
I
D
A
G (1)  
Steady State, T = 100°C (Note 1)  
C
Power Dissipation  
P
D
W
Steady State, T = 25°C  
C
S (3)  
Pulsed Drain Current, t = 10 ms  
I
3.4  
12  
A
A
p
DM  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.5  
1.7  
4
Single Pulse Drain−to−Source  
EAS  
mJ  
1
Avalanche Energy (I = 0.8 A)  
D
2
3
Peak Diode Recovery (Note 2)  
dv/dt  
4.5  
V/ns  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 3  
Lead Temperature for Soldering  
Leads  
T
L
260  
°C  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
4
4
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Limited by maximum junction temperature  
2
1
2
3
1
3
2. I = 1.5 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
S
DD  
DSS  
DPAK  
IPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
CASE 369D  
STYLE 2  
THERMAL RESISTANCE  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Junction−to−Case (Drain)  
NDDL1N60Z  
R
4.8  
q
JC  
JA  
MARKING & ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 3 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient  
(Note 4) NDDL1N60Z  
(Note 3) NDDL1N60Z−1  
(Note 4) NDTL1N60Z  
(Note 5) NDTL1N60Z  
R
42  
96  
62  
q
151  
3. Insertion mounted.  
4. Surface−mounted on FR4 board using 1” sq. pad size  
(Cu area = 1.127” sq. [2 oz] including traces).  
5. Surface−mounted on FR4 board using minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.026” sq. [2 oz]).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
May, 2014 − Rev. 0  
NDDL01N60Z/D  
 
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与NDDL01N60ZT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDDL1N60Z ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NDDL1N60Z-1G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NDDL1N60ZT4G ONSEMI

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET
NDDM1-15PTS1-220302 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTS1-220303 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTS2-220302 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTS2-220303 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTW1-220303 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTW2-220301 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector
NDDM1-15PTW3-220301 GLENAIR

获取价格

 		Rectangular Connector

与NDDL01N60ZT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证