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NDD05N50Z-1G

更新时间： 2024-09-27 05:52:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 158K
描述
N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω

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NDD05N50Z-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 369D-01, IPAK-3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：7.82
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：19 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON

NDD05N50Z-1G 数据手册

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NDF05N50Z, NDP05N50Z,  
NDD05N50Z  
N-Channel Power MOSFET  
500 V, 1.25 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 2.2 A  
DS(on)  
DSS  
500 V  
1.25 W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
V
NDF  
NDP NDD Unit  
N−Channel  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current R  
500  
V
A
DSS  
I
D
5
5
4.7  
3
q
JC  
(Note 1)  
Continuous Drain Current  
I
D
3.2  
(Note 1)  
3.2  
20  
96  
A
A
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current, V  
10 V  
@
I
20  
(Note 1)  
19  
83  
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
D
28  
W
V
q
JC  
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
30  
Single Pulse Avalanche Energy,  
D
E
AS  
130  
mJ  
I
= 5.0 A  
ESD (HBM) (JESD22−A114)  
V
3000  
V
V
esd  
RMS Isolation Voltage (t =  
V
ISO  
4500  
0.3 sec., R.H. ≤ 30%, T =  
4
A
25°C) (Figure 15)  
4
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 2)  
5
V/ns  
A
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
2
1
1
1
2
1
2
3
2
3
3
3
Maximum Temperature for  
Soldering Leads, 0.063″  
(1.6 mm) from Case for 10 s  
Package Body for 10 s  
T
PKG  
300  
260  
°C  
L
DPAK  
TO−220FP TO−220AB  
CASE 221D CASE 221ACASE 369D  
STYLE 1 STYLE 5  
STYLE 2  
IPAK  
T
CASE 369AA  
STYLE 2  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
°C  
J
stg  
MARKING AND ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 4.4 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
S
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
December, 2009 − Rev. 0  
NDF05N50Z/D  
 
1234567...9

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NDD05N50Z-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDD05N50ZT4G ONSEMI

完全替代

 N-Channel Power MOSFET 500 V, 1.25 Ω
FDPF5N50NZ FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
NDF05N50ZG ONSEMI

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