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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 72 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDD506AE | TI |
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19A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506AEL | TI |
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19A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506AEL/L86Z | TI |
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19A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506AL | TI |
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19A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
|
| NDD506B | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506B/L86Z | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
|
| NDD506BE | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BE/L86Z | TI |
获取价格 |
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BEL | TI |
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18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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| NDD506BEL/L86Z | TI |
获取价格 |
18A, 60V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
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