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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G PDF预览

NDD03N60Z-1G

更新时间： 2024-09-27 05:52:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 

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NDD03N60Z-1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.65
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

NDD03N60Z-1G 数据手册

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NDF03N60Z, NDP03N60Z,  
NDD03N60Z  
N-Channel Power MOSFET  
600 V, 3.3 W  
Features  
http://onsemi.com  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
(TYP) @ 1.2 A  
DS(on)  
DSS  
600 V  
3.3 W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
V
NDF  
NDP  
600  
3.0  
NDD  
Unit  
V
N−Channel  
D (2)  
Drain−to−Source Voltage  
DSS  
Continuous Drain Current  
R
I
D
3.0  
(Note 1)  
2.6  
1.65  
10  
A
q
JC  
Continuous Drain Current  
I
D
1.9  
(Note 1)  
1.9  
12  
A
A
R
q
JC  
T = 100°C  
A
G (1)  
Pulsed Drain Current, V  
@ 10 V  
I
12  
(Note 1)  
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
25  
78  
30  
61  
W
V
q
JC  
D
S (3)  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Single Pulse Avalanche  
E
AS  
100  
mJ  
Energy, I = 3.0 A  
D
ESD (HBM)  
V
3000  
V
V
esd  
(JESD 22−A114)  
4
RMS Isolation Voltage (t =  
V
ISO  
4500  
0.3 sec., R.H. ≤ 30%,  
4
T = 25°C) (Figure 17)  
A
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 2)  
3.0  
V/ns  
A
2
1
1
1
2
1
2
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
3
2
3
3
3
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
TO−220FP TO−220AB  
CASE 221D CASE 221ACASE 369D  
STYLE 1 STYLE 5  
STYLE 2  
IPAK  
Maximum Temperature for  
Soldering Leads  
T
L
260  
°C  
°C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
MARKING AND ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 7 of this data sheet.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Limited by maximum junction temperature  
2. I = 3.0 A, di/dt ≤ 100 A/ms, V ≤ BV  
, T = +150°C  
J
SD  
DD  
DSS  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
April, 2010 − Rev. 3  
NDF03N60Z/D  
 
1234567...10

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NDD03N60Z-1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDD03N60ZT4G ONSEMI

完全替代

 N-Channel Power MOSFET 600 V, 3.3 
FQD3N60CTM-WS ONSEMI

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