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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G PDF预览

NDD04N50Z-1G

更新时间： 2024-09-27 05:52:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 123K
描述
N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 

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NDD04N50Z-1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.0027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：61 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDD04N50Z-1G 数据手册

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NDP04N50Z, NDD04N50Z  
N-Channel Power MOSFET  
500 V, 2.7 W  
Features  
• Low ON Resistance  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
DSS  
R
(MAX) @ 1.5 A  
DS(on)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
500 V  
2.7 W  
C
Rating  
Symbol  
NDP  
NDD  
Unit  
V
Drain−to−Source Voltage  
Continuous Drain Current R  
Continuous Drain Current  
V
DSS  
500  
N−Channel  
I
D
I
D
3.4  
2.1  
3.0  
1.9  
A
q
JC  
D (2)  
A
R
q
JC  
, T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current, V @ 10 V  
I
14  
75  
12  
61  
A
W
V
GS  
DM  
Power Dissipation R  
P
D
q
JC  
G (1)  
Gate−to−Source Voltage  
V
30  
GS  
Single Pulse Avalanche Energy,  
D
E
AS  
120  
mJ  
I
= 3.4 A  
S (3)  
ESD (HBM) (JESD22−A114)  
V
2800  
V
V/ns  
A
esd  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
4.5 (Note 1)  
3.4  
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
I
S
Maximum Temperature for Soldering  
Leads  
T
260  
°C  
°C  
L
4
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
J
stg  
4
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
1
1
2
3
IPAK  
CASE 369D  
STYLE 2  
1
3
2
3
DPAK  
CASE 369AA  
STYLE 2  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
1. I v 3.4 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V ≤ BV  
, T ≤ 150°C.  
J
D
DD  
DSS  
MARKING AND ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
July, 2010 − Rev. 0  
NDD04N50Z/D  
 
1234567...9

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